GA100JT12-227
- Artikelnummer:
- GA100JT12-227
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS SJT 1200V 160A SOT227
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 67992 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- GA100JT12-227.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-GA100JT12-227 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 100A |
| Verlustleistung (max): | 535W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Andere Namen: | 1242-1317 GA100JT12-227-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 14400pF @ 800V |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V |
| detaillierte Beschreibung: | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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