Interne Teilenummer | RO-FM21L16-60-TGTR |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 110ns |
Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Supplier Device-Gehäuse: | 44-TSOP II |
Serie: | F-RAM™ |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen: | FM21L16-60-TGTRRA FM21L1660TGTR |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 2Mb (128K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | FRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
Basisteilenummer: | FM21L16 |
Zugriffszeit: | 110ns |
Email: | [email protected] |