DTD114ECHZGT116
- Artikelnummer:
- DTD114ECHZGT116
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 82597 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.DTD114ECHZGT116.pdf2.DTD114ECHZGT116.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-DTD114ECHZGT116 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Supplier Device-Gehäuse: | SST3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | DTD114ECHZGT116TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 56 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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