DTC643TUT106
- Artikelnummer:
- DTC643TUT106
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 86457 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.DTC643TUT106.pdf2.DTC643TUT106.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-DTC643TUT106 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 20V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Basis (R1): | 4.7 kOhms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-70, SOT-323 |
| Andere Namen: | DTC643TUT106CT |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 150MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 820 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 600mA |
| Basisteilenummer: | DTC643 |
| Email: | [email protected] |
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