DTC123JMFHAT2L
- Artikelnummer:
- DTC123JMFHAT2L
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 67932 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.DTC123JMFHAT2L.pdf2.DTC123JMFHAT2L.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-DTC123JMFHAT2L |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Supplier Device-Gehäuse: | VMT3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-723 |
| Andere Namen: | DTC123JMFHAT2LCT |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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