Interne Teilenummer | RO-DTA123JMT2L |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | VMT3 |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
Leistung - max: | 150mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | SOT-723 |
Andere Namen: | DTA123JMT2L-ND DTA123JMT2LTR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 250MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Basisteilenummer: | DTA123 |
Email: | [email protected] |