DMN30H4D0LFDE-7
- Artikelnummer:
- DMN30H4D0LFDE-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 57339 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DMN30H4D0LFDE-7.pdf
Einführung
We can supply DMN30H4D0LFDE-7, use the request quote form to request DMN30H4D0LFDE-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMN30H4D0LFDE-7.The price and lead time for DMN30H4D0LFDE-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMN30H4D0LFDE-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-DMN30H4D0LFDE-7 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 630mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | DMN30H4D0LFDE-7DITR DMN30H4D0LFDE7 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 187.3pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.6nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.7V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 300V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 550mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für DMN30H4D0LFDE-7
läst Nachrichten
- ADI kooperiert mit der BMW Group, um die führende 10 -MB -Auto -Ethernet -Technologie der Branche zu starten und ein neues Kapitel in Software Definition Automobiles zu eröffnen
- Vishay startet das Knopf -Potentiometer, vereinfachte das Design der Industrie- und Audioanwendungsanwendungen und optimieren die Kosten
- Toshiba startet SmartMCD -Gate -Treiber IC mit eingebettetem Mikrocontroller
- ADI -Bereitstellung Sambanova -Kit, die die Produktionsformel AI fördert, um einen Durchbruch auf Unternehmensebene zu erzielen
- Honeywell und Adi haben sich den Händen angeschlossen, um die Innovation und den Wandel der Bauenautomatisierung zu fördern
- Maxim kündigte den Start an
- Maxim startet einen Auto-DC-DC-Konverter MAX16984, ein Auto mit integrierten USB-Ladeumzähern
- Renesas Electronics startet den ersten programmierbaren elektrischen Treiber der Branche IC
- Renesas startete die erste Generation von 32-Bit-RISC-V-CPU-Kernel
- Vishay startete die neue 10 -MBD -Leuchterkupplung mit niedriger Leistung von bis zu 5 mA, der Spannungsbereich beträgt 2,7 V bis 5,5 V.
- MELEXIS hat eine neue intelligente Lösung für die Integration zuverlässiger Sicherheit gestartet
- Toshiba hat das erste 2200V -Dual -Carbide -MOSFET -Modul der Branche entwickelt, um die effiziente und miniaturisierende Industriegeräte zu unterstützen