内部モデル | RO-DMN30H4D0LFDE-7 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.8V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | U-DFN2020-6 (Type E) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
電力消費(最大): | 630mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-UDFN Exposed Pad |
他の名前: | DMN30H4D0LFDE-7DITR DMN30H4D0LFDE7 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 187.3pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 7.6nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 2.7V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 300V |
詳細な説明: | N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 550mA (Ta) |
Email: | [email protected] |