DMC1229UFDB-7
- Artikelnummer:
- DMC1229UFDB-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 52634 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DMC1229UFDB-7.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-DMC1229UFDB-7 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Leistung - max: | 1.4W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | DMC1229UFDB-7DI DMC1229UFDB-7DI-ND DMC1229UFDB-7DITR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 914pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.6nC @ 8V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.6A, 3.8A |
| Email: | [email protected] |
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