Interne Teilenummer | RO-CYD09S36V18-200BBXC |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 256-FBGA (17x17) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 256-LBGA |
Andere Namen: | 428-2035 CYD09S36V18-200BBXC-ND |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 4 (72 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 9Mb (256K x 36) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) |
Uhrfrequenz: | 200MHz |
Basisteilenummer: | CYD09S36 |
Zugriffszeit: | 3.3ns |
Email: | [email protected] |