Número de parte interno | RO-CYD09S36V18-200BBXC |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnología: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Paquete del dispositivo: | 256-FBGA (17x17) |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 256-LBGA |
Otros nombres: | 428-2035 CYD09S36V18-200BBXC-ND |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 4 (72 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 9Mb (256K x 36) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) |
Frecuencia de reloj: | 200MHz |
Número de pieza base: | CYD09S36 |
Tiempo de acceso: | 3.3ns |
Email: | [email protected] |