CYD02S36V18-200BBXC
- Artikelnummer:
- CYD02S36V18-200BBXC
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
- Beschreibung:
- IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA
- RoHS-Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Menge auf Lager:
- 86527 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- CYD02S36V18-200BBXC.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-CYD02S36V18-200BBXC |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 256-FBGA (17x17) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 256-LBGA |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 2Mb (64K x 36) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) |
| Uhrfrequenz: | 200MHz |
| Basisteilenummer: | CYD02S36 |
| Zugriffszeit: | 3.3ns |
| Email: | [email protected] |
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