Interne Teilenummer | RO-CY7C1012DV33-10BGXI |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 10ns |
Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 119-PBGA (14x22) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 119-BGA |
Andere Namen: | 428-3273 CY7C1012DV33-10BGXI-ND CY7C1012DV3310BGXI |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 12Mb (512K x 24) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 12Mb (512K x 24) Parallel 10ns 119-PBGA (14x22) |
Basisteilenummer: | CY7C1012 |
Zugriffszeit: | 10ns |
Email: | [email protected] |