Interne Teilenummer | RO-AT45DB641E-MWHN-Y |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 8µs, 5ms |
Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 3.6 V |
Technologie: | FLASH |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-VDFN (6x8) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 8-VDFN Exposed Pad |
Andere Namen: | 1265-1106 AT45DB641E-MWHN-Y-ND |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 64Mb (264 Bytes x 32K pages) |
Speicherschnittstelle: | SPI |
Speicherformat: | FLASH |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85MHz 8-VDFN (6x8) |
Uhrfrequenz: | 85MHz |
Email: | [email protected] |