AS6C2008-55BINTR
- Artikelnummer:
- AS6C2008-55BINTR
- Hersteller:
- Alliance Memory, Inc.
- Beschreibung:
- IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 37272 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- AS6C2008-55BINTR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-AS6C2008-55BINTR |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 55ns |
| Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologie: | SRAM - Asynchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 36-TFBGA (6x8) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 36-TFBGA |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 2Mb (256K x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8) |
| Zugriffszeit: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
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