Interne Teilenummer | RO-AS4C512M8D3LB-12BAN |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
Spannungsversorgung: | 1.283 V ~ 1.45 V |
Technologie: | SDRAM - DDR3L |
Supplier Device-Gehäuse: | 78-FBGA (10.5x9) |
Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 78-VFBGA |
Andere Namen: | 1450-1461 AS4C512M8D3LB-12BAN-ND |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9) |
Uhrfrequenz: | 800MHz |
Zugriffszeit: | 20ns |
Email: | [email protected] |