ALD114935PAL
- Artikelnummer:
- ALD114935PAL
- Hersteller:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 58556 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- ALD114935PAL.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-ALD114935PAL |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.45V @ 1µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-PDIP |
| Serie: | EPAD® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 540 Ohm @ 0V |
| Leistung - max: | 500mW |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Andere Namen: | 1014-1067 |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Merkmal: | Depletion Mode |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 10.6V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12mA, 3mA |
| Email: | [email protected] |
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