Interne Teilenummer | RO-2N5401-AP |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 150V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1.5W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 100MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 100MHz 1.5W Through Hole TO-92 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 600mA |
Email: | [email protected] |