Interne Teilenummer | RO-2DB1386Q-13 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 20V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 100mA, 4A |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-89-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1W |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
Andere Namen: | 2DB1386Q-13-ND 2DB1386Q-13DITR 2DB1386Q13 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 100MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 5A 100MHz 1W Surface Mount SOT-89-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 5A |
Basisteilenummer: | 2DB1386 |
Email: | [email protected] |