TH58BYG2S3HBAI4
- Номер на частта:
- TH58BYG2S3HBAI4
- Производител:
- Toshiba Memory America, Inc.
- описание:
- 4G SLC NAND BGA 24NM
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 73364 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- TH58BYG2S3HBAI4.pdf
Въведение
We can supply TH58BYG2S3HBAI4, use the request quote form to request TH58BYG2S3HBAI4 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TH58BYG2S3HBAI4.The price and lead time for TH58BYG2S3HBAI4 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TH58BYG2S3HBAI4.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-TH58BYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Пишете време за цикъл - Word, Page: | - |
| Напрежение - Доставка: | - |
| технология: | FLASH - NAND (SLC) |
| Пакет на доставчик на устройства: | 63-TFBGA (9x11) |
| серия: | Benand™ |
| Пакет / касета: | 63-VFBGA |
| Работна температура: | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Тип памет: | Non-Volatile |
| Размер на паметта: | 4Gb (512M x 8) |
| Интерфейс на паметта: | - |
| Формат на паметта: | FLASH |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробно описание: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за TH58BYG2S3HBAI4
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map