SIHB12N65E-GE3
- Номер на частта:
- SIHB12N65E-GE3
- Производител:
- Vishay / Siliconix
- описание:
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 57274 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- SIHB12N65E-GE3.pdf
Въведение
We can supply SIHB12N65E-GE3, use the request quote form to request SIHB12N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHB12N65E-GE3.The price and lead time for SIHB12N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHB12N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Изпитване на напрежение: | 1224pF @ 100V |
| Напрежение - Разбивка: | D²PAK (TO-263) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| серия: | - |
| Състояние на RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| поляризация: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 19 Weeks |
| Номер на частта на производителя: | SIHB12N65E-GE3 |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 70nC @ 10V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Разширено описание: | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | - |
| описание: | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| Съотношение на капацитета: | 156W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за SIHB12N65E-GE3
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map