Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > R5021ANX
R5021ANX
R5021ANX
Номер на частта:
R5021ANX
Производител:
LAPIS Semiconductor
описание:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
52736 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
R5021ANX.pdf
Разследване

Въведение

We can supply R5021ANX, use the request quote form to request R5021ANX pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R5021ANX.The price and lead time for R5021ANX depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R5021ANX.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-R5021ANX
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (макс):±30V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:TO-220FM
серия:-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 10.5A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):50W (Tc)
Опаковка:Bulk
Пакет / касета:TO-220-3 Full Pack
Други имена:R5021ANXCT
R5021ANXCT-ND
Работна температура:150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:2300pF @ 25V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:64nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):500V
Подробно описание:N-Channel 500V 21A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за R5021ANX

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
R5021413LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 125A DO205 Разследване
R5030218FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA Разследване
R5030410RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA Разследване
R5030610RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA Разследване
R5021613FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 125A DO205 Разследване
R5030210RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA Разследване
R5021210RSZT Powerex, Inc. DIODE GEN PURP Разследване
R5021213LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 125A DO205 Разследване
R5030613LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA Разследване
R5021418FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 175A DO205 Разследване
R5030418FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA Разследване
R5030618FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 175A DO205AA Разследване
R5021ANJTL Image R5021ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Разследване
R5030213LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA Разследване
R5030413LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA Разследване
R5021018FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 175A DO205 Разследване
R5021218FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 175A DO205 Разследване
R5021210RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205 Разследване
R5030810RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA Разследване
R5021013LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 125A DO205 Разследване

Latest News