NSB8KTHE3_A/I
- Номер на частта:
- NSB8KTHE3_A/I
- Производител:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- описание:
- DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 66236 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- NSB8KTHE3_A/I.pdf
Въведение
We can supply NSB8KTHE3_A/I, use the request quote form to request NSB8KTHE3_A/I pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSB8KTHE3_A/I.The price and lead time for NSB8KTHE3_A/I depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSB8KTHE3_A/I.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-NSB8KTHE3_A/I |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 1.1V @ 8A |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.): | 800V |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-263AB |
| скорост: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| серия: | Automotive, AEC-Q101 |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Работна температура - връзка: | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 32 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип диод: | Standard |
| Подробно описание: | Diode Standard 800V 8A Surface Mount TO-263AB |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io): | 8A |
| Капацитет @ Vr, F: | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за NSB8KTHE3_A/I
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map