NE58219-T1-A
- Номер на частта:
- NE58219-T1-A
- Производител:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- описание:
- TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 47393 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- NE58219-T1-A.pdf
Въведение
We can supply NE58219-T1-A, use the request quote form to request NE58219-T1-A pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NE58219-T1-A.The price and lead time for NE58219-T1-A depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NE58219-T1-A.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-NE58219-T1-A |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.): | 12V |
| Транзисторен тип: | NPN |
| Пакет на доставчик на устройства: | 3-SuperMiniMold (19) |
| серия: | - |
| Мощност - макс: | 100mW |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | SC-75, SOT-416 |
| Други имена: | NE58219-T1-ACT |
| Работна температура: | 125°C (TJ) |
| Шумовата фигура (dB Тип @ f): | - |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Печалба: | - |
| Честота - Преход: | 5GHz |
| Подробно описание: | RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19) |
| DC ток на печалба (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 5V |
| Ток - колектор (Ic) (макс.): | 60mA |
| Номер на базовата част: | NE58219 |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за NE58219-T1-A
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map