MURT10060R
- Номер на частта:
- MURT10060R
- Производител:
- GeneSiC Semiconductor
- описание:
- DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 77113 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- 1.MURT10060R.pdf2.MURT10060R.pdf
Въведение
We can supply MURT10060R, use the request quote form to request MURT10060R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MURT10060R.The price and lead time for MURT10060R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MURT10060R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-MURT10060R |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 1.7V @ 100A |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.): | 600V |
| Пакет на доставчик на устройства: | Three Tower |
| скорост: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| серия: | - |
| Време за обратно възстановяване (trr): | 75ns |
| Опаковка: | Bulk |
| Пакет / касета: | Three Tower |
| Други имена: | MURT10060RGN |
| Работна температура - връзка: | -40°C ~ 175°C |
| Тип монтаж: | Chassis Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 4 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип диод: | Standard, Reverse Polarity |
| Диод конфигурация: | - |
| Подробно описание: | Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Ток - средно поправен (Io) (на диод): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за MURT10060R
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map