JAN1N3768R
- Номер на частта:
- JAN1N3768R
- Производител:
- Microsemi
- описание:
- DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
- Статус на RoHS:
- Съдържа олово / RoHS несъответстващо
- Количество на склад:
- 86407 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- JAN1N3768R.pdf
Въведение
We can supply JAN1N3768R, use the request quote form to request JAN1N3768R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N3768R.The price and lead time for JAN1N3768R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N3768R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-JAN1N3768R |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 1.4V @ 110A |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.): | 1000V |
| Пакет на доставчик на устройства: | DO-5 |
| скорост: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| серия: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| Опаковка: | Bulk |
| Пакет / касета: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Други имена: | 1086-16821 1086-16821-MIL |
| Работна температура - връзка: | -65°C ~ 175°C |
| Тип монтаж: | Chassis, Stud Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 18 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип диод: | Standard, Reverse Polarity |
| Подробно описание: | Diode Standard, Reverse Polarity 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 10µA @ 1000V |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io): | 35A |
| Капацитет @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за JAN1N3768R
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map