Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - RF > IXZR08N120A-00
IXZR08N120A-00
IXZR08N120A-00
Номер на частта:
IXZR08N120A-00
Производител:
IXYS RF
описание:
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
48424 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
IXZR08N120A-00.pdf
Разследване

Въведение

We can supply IXZR08N120A-00, use the request quote form to request IXZR08N120A-00 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXZR08N120A-00.The price and lead time for IXZR08N120A-00 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXZR08N120A-00.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-IXZR08N120A-00
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Изпитване на напрежение:100V
Напрежение - оценено:1200V
Транзисторен тип:N-Channel
Пакет на доставчик на устройства:PLUS247™-3
серия:Z-MOS™
Мощност - изход:250W
Опаковка:Tube
Пакет / касета:TO-247-3
Шумовата фигура:-
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Производител Стандартно време за доставка:14 Weeks
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Печалба:23dB
Честота:65MHz
Подробно описание:RF Mosfet N-Channel 100V 65MHz 23dB 250W PLUS247™-3
Текуща оценка:8A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за IXZR08N120A-00

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
IXZH10N50L2A Image IXZH10N50L2A IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Разследване
IXZ2210N50L2 Image IXZ2210N50L2 IXYS RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 Разследване
PTFA210601EV4XWSA1 Image PTFA210601EV4XWSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Разследване
IXZ631DF12N100 Image IXZ631DF12N100 IXYS RF IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA Разследване
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL Разследване
IXZ631DF18N50 Image IXZ631DF18N50 IXYS RF 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET Разследване
BLF178P,112 Image BLF178P,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A Разследване
IXZ210N50L2 Image IXZ210N50L2 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 Разследване
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZR16N60 Image IXZR16N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZR18N50 Image IXZR18N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZR18N50A-00 Image IXZR18N50A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZ316N60 Image IXZ316N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 Разследване
PTFA191001EV4XWSA1 Image PTFA191001EV4XWSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Разследване
IXZR08N120B-00 Image IXZR08N120B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZH10N50L2B Image IXZH10N50L2B IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Разследване
IXZ308N120 Image IXZ308N120 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL DE375 Разследване
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZ210N50L IXYS Corporation N-CHANNEL RF MOSFET 175MH Разследване
IXZ-2510 Image IXZ-2510 InvenSense MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN Разследване

Latest News