Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2106
EPC2106
EPC2106
Номер на частта:
EPC2106
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
89739 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2106.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2106, use the request quote form to request EPC2106 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2106.The price and lead time for EPC2106 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2106.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2106
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Пакет на доставчик на устройства:Die
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 5V
Мощност - макс:-
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:Die
Други имена:917-1110-2
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Производител Стандартно време за доставка:14 Weeks
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:75pF @ 50V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:0.73nC @ 5V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):100V
Подробно описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2106

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Разследване
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Разследване
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Разследване
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Разследване
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Разследване
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Разследване
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Разследване
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Разследване
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Разследване
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Разследване
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Разследване
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Разследване
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Разследване
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Разследване
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Разследване
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Разследване
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Разследване

Latest News