1N3766R
- Номер на частта:
- 1N3766R
- Производител:
- GeneSiC Semiconductor
- описание:
- DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 81494 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- 1.1N3766R.pdf2.1N3766R.pdf
Въведение
We can supply 1N3766R, use the request quote form to request 1N3766R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 1N3766R.The price and lead time for 1N3766R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 1N3766R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-1N3766R |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - връх на връщане (Макс): | Standard, Reverse Polarity |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 35A |
| Напрежение - Разбивка: | DO-5 |
| серия: | - |
| Състояние на RoHS: | Bulk |
| Време за обратно възстановяване (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Устойчивост @ Ако, F: | - |
| поляризация: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Други имена: | 1N3766RGN |
| Тип монтаж: | Chassis, Stud Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 10 Weeks |
| Номер на частта на производителя: | 1N3766R |
| Разширено описание: | Diode Standard, Reverse Polarity 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Диод конфигурация: | 10µA @ 50V |
| описание: | DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 1.2V @ 35A |
| Ток - средно поправен (Io) (на диод): | 800V |
| Капацитет @ Vr, F: | -65°C ~ 190°C |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за 1N3766R
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map