SI4567DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4567DY-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
43898 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
SI4567DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

We can supply SI4567DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4567DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4567DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4567DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4567DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-SI4567DY-T1-GE3
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:60 mOhm @ 4.1A, 10V
السلطة - ماكس:2.75W, 2.95W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:355pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Standard
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5A, 4.4A
رقم جزء القاعدة:SI4567
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات