3135GN-100M
- رقم القطعة:
- 3135GN-100M
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANSISTOR GAN 55-QP
- بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكميه في المخزن:
- 61834 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- وقت الإنتاج:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 3135GN-100M.pdf
المقدمة
We can supply 3135GN-100M, use the request quote form to request 3135GN-100M pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 3135GN-100M.The price and lead time for 3135GN-100M depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 3135GN-100M.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
مواصفات
| رقم الجزء الداخلي | RO-3135GN-100M |
|---|---|
| شرط | Original New |
| بلد المنشأ | Contact us |
| أعلى العلامات | email us |
| إستبدال | See datasheet |
| الجهد - تقييمه: | - |
| الجهد - إخراج: | - |
| الجهد - انهيار: | - |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | - |
| الاستقطاب: | - |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 3135GN-100M |
| تردد: | - |
| نوع FET: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| وصف: | TRANSISTOR GAN 55-QP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل3135GN-100M
Latest الأخبار
- Toshiba تطلق SmartMCD Series Gate Driver مع متحكم مدمج
- ADI Deployment Sambanova Kit ، مما يعزز صيغة الإنتاج AI لتحقيق اختراق على مستوى المؤسسة
- تضافرت هانيويل وأدي الأيدي لتعزيز الابتكار وتغيير أتمتة البناء
- أعلن مكسيم الإطلاق
- تقوم Maxim بإطلاق محول سيارة DC-DC MAX16984 ، وهي سيارة بها تعداد متكامل لشحن USB
- Renesas Electronics تطلق أول برنامج تشغيل كهربائي قابل للبرمجة في هذا المجال
- أطلقت Renesas الجيل الأول من نواة وحدة المعالجة المركزية 32-BIT-V
- أطلقت Vishay اقتران الضوء المنخفض ذي الطاقة المنخفضة 10 ميجابايت الجديدة ، حيث يصل إلى 5 مللي أمبير ، نطاق الجهد هو 2.7 فولت إلى 5.5 فولت
- أطلقت Melexis حلًا ذكيًا جديدًا لدمج أمان موثوق به
- طورت Toshiba أول وحدة MOSFET مزدوجة 2200V في هذا المجال للمساعدة
- يقترب عصر DDR5 ، ولا يمكن تجاهل التحديات الجديدة
- يفتح Renesas خريطة طريق منتج Car -Car Soc و MCU المعالج التالية