3135GN-100M
- Modèle de produit:
- 3135GN-100M
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANSISTOR GAN 55-QP
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 61834 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 3135GN-100M.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-3135GN-100M |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Nominale: | - |
| Tension - Sortie: | - |
| Tension - Ventilation: | - |
| Séries: | - |
| État RoHS: | - |
| Polarisation: | - |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 3135GN-100M |
| La fréquence: | - |
| type de FET: | - |
| Description élargie: | RF Mosfet |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| La description: | TRANSISTOR GAN 55-QP |
| Note actuelle: | - |
| Courant - Test: | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | - |
| Email: | [email protected] |
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