หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SI4946CDY-T1-GE3 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
ชุด: | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V |
เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ชื่ออื่น: | SI4946CDY-T1-GE3CT |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 350pF @ 30V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
ประเภท FET: | 2 N-Channel (Dual) |
คุณสมบัติ FET: | Standard |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |