내부 부품 번호 | RO-SI4946CDY-T1-GE3 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V |
전력 - 최대: | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들: | SI4946CDY-T1-GE3CT |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 350pF @ 30V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |