内部モデル | RO-SI4946CDY-T1-GE3 |
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状況 | Original New |
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トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V |
電力 - 最大: | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SI4946CDY-T1-GE3CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 10nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |