BS2103F-E2
BS2103F-E2
제품 모델:
BS2103F-E2
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
49380 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.BS2103F-E2.pdf2.BS2103F-E2.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-BS2103F-E2
조건 Original New
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전압 - 공급:10 V ~ 18 V
제조업체 장치 패키지:8-SOP
연속:-
상승 / 하강 시간 (일반):200ns, 100ns
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
다른 이름들:BS2103F-E2TR
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
입력 주파수:2
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:17 Weeks
논리 전압 - VIL, VIH:1V, 2.6V
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩):600V
게이트 유형:IGBT, N-Channel MOSFET
구동 구성:Half-Bridge
상세 설명:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크):60mA, 130mA
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대):Independent
Email:[email protected]

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