BS2103F-E2
BS2103F-E2
Modello di prodotti:
BS2103F-E2
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
49380 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.BS2103F-E2.pdf2.BS2103F-E2.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-BS2103F-E2
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione di alimentazione -:10 V ~ 18 V
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Tempo di salita / scadenza (Typ):200ns, 100ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:BS2103F-E2TR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso:2
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
Tensione logica - VIL, VIH:1V, 2.6V
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap):600V
Tipo di porta:IGBT, N-Channel MOSFET
Configurazione guidata:Half-Bridge
Descrizione dettagliata:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore):60mA, 130mA
Base-Emitter Tensione di saturazione (max):Independent
Email:[email protected]

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