BS2103F-E2
BS2103F-E2
部品型番:
BS2103F-E2
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
49380 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
1.BS2103F-E2.pdf2.BS2103F-E2.pdf

簡潔な

We can supply BS2103F-E2, use the request quote form to request BS2103F-E2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BS2103F-E2.The price and lead time for BS2103F-E2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BS2103F-E2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

規格

内部モデル RO-BS2103F-E2
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電源電圧 - :10 V ~ 18 V
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP
シリーズ:-
立上り/立下り時間(Typ):200ns, 100ns
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
他の名前:BS2103F-E2TR
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
入力周波数:2
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:17 Weeks
ロジック電圧 - VIL、VIH:1V, 2.6V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ:Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):600V
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
駆動構成:Half-Bridge
詳細な説明:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
電流 - ピーク出力(ソース、シンク):60mA, 130mA
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大):Independent
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考