Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > R6020835ESYA
R6020835ESYA
Αριθμός εξαρτήματος:
R6020835ESYA
Κατασκευαστής:
Powerex, Inc.
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
60775 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
R6020835ESYA.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply R6020835ESYA, use the request quote form to request R6020835ESYA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6020835ESYA.The price and lead time for R6020835ESYA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6020835ESYA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-R6020835ESYA
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.5V @ 800A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):800V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:DO-205AB, DO-9
Ταχύτητα:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):2µs
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:DO-205AB, DO-9, Stud
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-45°C ~ 150°C
τοποθέτηση Τύπος:Chassis, Stud Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:12 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:50mA @ 800V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):350A
Χωρητικότητα @ VR, F:-
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για R6020835ESYA

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
R6020422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB Έρευνα
R6020ENZC8 Image R6020ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Έρευνα
R6020635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB Έρευνα
R6020625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB Έρευνα
R6020225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB Έρευνα
R6020FNJTL Image R6020FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPT Έρευνα
R6020235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB Έρευνα
R6020FNX Image R6020FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM Έρευνα
R6020ENX Image R6020ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Έρευνα
R6020825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB Έρευνα
R6020ANJTL Image R6020ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Έρευνα
R6020ANZC8 Image R6020ANZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Έρευνα
R6020ENZ1C9 Image R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Έρευνα
R6020ANX Image R6020ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM Έρευνα
R6020ENJTL Image R6020ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPT Έρευνα
R6020425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB Έρευνα
R6020KNJTL Image R6020KNJTL LAPIS Semiconductor NCH 600V 20A POWER MOSFET Έρευνα
R6020822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB Έρευνα
R6020435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB Έρευνα
R6020622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB Έρευνα

Latest Ειδήσεις