Η Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ("Toshiba") ανακοίνωσε σήμερα ότι η πρώτη μονάδα MOSFET (MG250YD2YMS3 "της βιομηχανίας [1] 2200V.Η νέα ενότητα χρησιμοποιεί το τσιπ MOSFET της 3ης γενιάς της Toshiba.Το προϊόν έχει αρχίσει να υποστηρίζει τις αποστολές παρτίδων σήμερα.
Οι παραπάνω βιομηχανικές εφαρμογές χρησιμοποιούν συνήθως DC 1000V ή χαμηλότερη ισχύ και οι συσκευές ισχύος τους είναι κυρίως προϊόντα 1200V ή 1700V.Ωστόσο, το DC 1500V αναμένεται να χρησιμοποιηθεί ευρέως τα επόμενα χρόνια, οπότε η Toshiba κυκλοφόρησε τα πρώτα προϊόντα 2200V της βιομηχανίας.
Το MG250YD2YMS3 έχει τάση μολύβδου χαμηλής διαρροής (αισθητήρας) χαμηλής ράβδου διαρροής (αισθητήρας) απώλειας χαμηλής κατεύθυνσης και 0,7V (τυπικές τιμές) [2].Επιπλέον, έχει επίσης χαμηλές απώλειες ανοίγματος και απενεργοποίησης, οι οποίες είναι 14MJ (τυπικές τιμές) [3] και 11mJ (τυπικές τιμές) [3]. 4].Αυτά τα χαρακτηριστικά συμβάλλουν στη βελτίωση της αποτελεσματικότητας του εξοπλισμού.Επειδή το MG250YD2YMS3 μπορεί να επιτύχει χαμηλότερη απώλεια μεταγωγής, οι χρήστες μπορούν να χρησιμοποιήσουν ένα μικρό αριθμό επίπεδων κυκλωμάτων με μικρό αριθμό μονάδων για να αντικαταστήσουν το παραδοσιακό κύκλωμα τριών επιπέδων, το οποίο βοηθά στη μινιατούρα της συσκευής.
Η Toshiba θα συνεχίσει να καινοτομεί και να συνεχίσει να ανταποκρίνεται στη ζήτηση της αγοράς για υψηλή απόδοση και μικροσκοπία βιομηχανικού εξοπλισμού.
εφαρμογή:
Βιομηχανικός εξοπλισμός
-Το σύστημα παραγωγής ενέργειας ανανεώσιμων πηγών ενέργειας (Φωτοβολταϊκό σύστημα παραγωγής ενέργειας κ.λπ.)
-Σύστημα αποθήκευσης ενέργειας
-Εξοπλισμός ελέγχου βιομηχανικού εξοπλισμού
-Το μετατροπέα DC-DC υψηλής συχνότητας και άλλες συσκευές
χαρακτηριστικό γνώρισμα:
-Το χαμηλή τάση κατεύθυνσης πόλης πόλων (αισθητήρας):
VDS (ON) Sense = 0.7V (τυπική τιμή) (ID = 250A, VGS = + 20V, TCH = 25 ℃)
-Με μια απώλεια χαμηλής άνοιξης:
EON = 14mJ (τυπική τιμή) (VDD = 1100V, ID = 250A, TCH = 150 ° C)
-Το χαμηλή απώλεια αποσύνδεσης:
EOFF = 11mJ (τυπική τιμή) (VDD = 1100V, ID = 250A, TCH = 150 ° C)
-Το χαμηλή παρασιτική επαγωγή:
LSPN = 12NH (τυπική τιμή)