Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT70GR65B2SCD30
APT70GR65B2SCD30
Αριθμός εξαρτήματος:
APT70GR65B2SCD30
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
63604 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT70GR65B2SCD30.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT70GR65B2SCD30, use the request quote form to request APT70GR65B2SCD30 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT70GR65B2SCD30.The price and lead time for APT70GR65B2SCD30 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT70GR65B2SCD30.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APT70GR65B2SCD30
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 70A
Test Condition:433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:19ns/170ns
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:T-MAX™ [B2]
Σειρά:*
Ισχύς - Max:595W
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
IGBT Τύπος:NPT
πύλη Χρέωση:305nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):260A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):134A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT70GR65B2SCD30

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Έρευνα
APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 Έρευνα
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 Έρευνα
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 Έρευνα
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT75DQ100BG Image APT75DQ100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 Έρευνα
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Έρευνα
APT75DL120HJ Image APT75DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 Έρευνα
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT75DL60HJ Image APT75DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 Έρευνα
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 Έρευνα
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 Έρευνα
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Έρευνα
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 Έρευνα
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Έρευνα
APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις