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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT70GR65B2SCD30
APT70GR65B2SCD30
Modello di prodotti:
APT70GR65B2SCD30
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
63604 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APT70GR65B2SCD30.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APT70GR65B2SCD30
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 70A
Condizione di test:433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:19ns/170ns
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:*
Potenza - Max:595W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo IGBT:NPT
carica gate:305nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - collettore Pulsed (Icm):260A
Corrente - collettore (Ic) (max):134A
Email:[email protected]

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Parti relative per APT70GR65B2SCD30

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 Inchiesta
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APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 Inchiesta
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT75DQ100BG Image APT75DQ100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 Inchiesta
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
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APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Inchiesta
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APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Inchiesta
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APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 Inchiesta

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