Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT12057B2FLLG
APT12057B2FLLG
APT12057B2FLLG
Αριθμός εξαρτήματος:
APT12057B2FLLG
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
80385 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT12057B2FLLG.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT12057B2FLLG, use the request quote form to request APT12057B2FLLG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT12057B2FLLG.The price and lead time for APT12057B2FLLG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT12057B2FLLG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APT12057B2FLLG
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Test:5155pF @ 25V
Τάσης - Ανάλυση:T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (Max) @ Id:570 mOhm @ 11A, 10V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Σειρά:POWER MOS 7®
Κατάσταση RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22A (Tc)
Πόλωση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:APT12057B2FLLG
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:185nC @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:5V @ 2.5mA
FET Χαρακτηριστικό:N-Channel
Διευρυμένη περιγραφή:N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):-
Περιγραφή:MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:1200V (1.2kV)
Λόγος χωρητικότητα:690W (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT12057B2FLLG

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT12057JLL Image APT12057JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 Έρευνα
APT12080JVR Microsemi MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP Έρευνα
APT1211AX Image APT1211AX Panasonic OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP Έρευνα
APT12067JLL Image APT12067JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 Έρευνα
APT12057LFLLG Image APT12057LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 Έρευνα
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 Έρευνα
APT12031JFLL Image APT12031JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 Έρευνα
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Έρευνα
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Έρευνα
APT1204R7BFLLG Image APT1204R7BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Έρευνα
APT12057B2LLG Image APT12057B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Έρευνα
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Έρευνα
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Έρευνα
APT12067B2FLLG Image APT12067B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX Έρευνα
APT1211 Image APT1211 Panasonic OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP Έρευνα
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Έρευνα
APT1211A Image APT1211A Panasonic OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD Έρευνα
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Έρευνα
APT1204R7KFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Έρευνα
APT12067B2LLG Image APT12067B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX Έρευνα

Latest Ειδήσεις