TPH4R50ANH,L1Q
- Modèle de produit:
- TPH4R50ANH,L1Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 76157 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPH4R50ANH,L1Q.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPH4R50ANH,L1Q |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Séries: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | TPH4R50ANH,L1Q(M TPH4R50ANHL1QTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5200pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | N-Channel 100V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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