TPCF8B01(TE85L,F,M
- Número de pieza:
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 52289 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-TPCF8B01(TE85L,F,M |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Voltaje - Prueba: | 470pF @ 10V |
| Tensión - Desglose: | VS-8 (2.9x1.9) |
| VGS (th) (Max) @Id: | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | U-MOSIII |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarización: | 8-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6nC @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.2V @ 200µA |
| Característica de FET: | P-Channel |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| relación de capacidades: | 330mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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