TPCF8B01(TE85L,F,M
- 제품 모델:
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- 기술:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 52289 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-TPCF8B01(TE85L,F,M |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 테스트: | 470pF @ 10V |
| 전압 - 파괴: | VS-8 (2.9x1.9) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | U-MOSIII |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2.7A (Ta) |
| 편광: | 8-SMD, Flat Lead |
| 작동 온도: | 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 6nC @ 5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.2V @ 200µA |
| FET 특징: | P-Channel |
| 확장 설명: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | Schottky Diode (Isolated) |
| 기술: | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20V |
| 용량 비율: | 330mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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