SSM3K329R,LF
- Número de pieza:
- SSM3K329R,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 38809 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SSM3K329R,LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SSM3K329R,LF |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23F |
| Serie: | U-MOSIII |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 126 mOhm @ 1A, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Otros nombres: | SSM3K329RLFDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 123pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.5nC @ 4V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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