SSM3K318R,LF
- Número de pieza:
- SSM3K318R,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 83740 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SSM3K318R,LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SSM3K318R,LF |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Voltaje - Prueba: | 235pF @ 30V |
| Tensión - Desglose: | SOT-23F |
| VGS (th) (Max) @Id: | 107 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | U-MOSIV |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.5A (Ta) |
| Polarización: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Otros nombres: | SSM3K318R,LF(B SSM3K318R,LF(T SSM3K318RLF SSM3K318RLFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM3K318R,LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.8V @ 1mA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| relación de capacidades: | 1W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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