رقم الجزء الداخلي | RO-W632GU8AB-12 |
---|---|
شرط | Original New |
بلد المنشأ | Contact us |
أعلى العلامات | email us |
إستبدال | See datasheet |
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
الجهد - توريد: | 1.283 V ~ 1.45 V |
تكنولوجيا: | SDRAM - DDR3 |
سلسلة: | - |
درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 95°C (TC) |
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
نوع الذاكرة: | Volatile |
حجم الذاكرة: | 2Gb (128M x 16) |
واجهة الذاكرة: | Parallel |
تنسيق الذاكرة: | DRAM |
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
وصف تفصيلي: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns |
تردد على مدار الساعة: | 800MHz |
وقت الدخول: | 20ns |
Email: | [email protected] |