العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W632GU8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W948D6FBHX5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W25X10CLZPIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q16DWSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X10CLSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVZEIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W979H2KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W632GU6MB15I Image W632GU6MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q32FVZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80DVSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25X40AVZPIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8WSON تحقيق
W25M512JVFIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W632GG6MB-15 TR Image W632GG6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q128FVCIG Image W25Q128FVCIG IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q64FVTBIG Image W25Q64FVTBIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q257FVFIG TR IC FLASH 256MBIT 16SOIC تحقيق
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W9412G6KH-4 Image W9412G6KH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W631GU6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q64CVSFJG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25X16AVDAIZ IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8DIP تحقيق
W29N01GWDIBA Image W29N01GWDIBA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA تحقيق
W25M02GVZEIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32DWZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q16CLSSIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256JVBIQ Image W25Q256JVBIQ IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q80DVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVSIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64JVZEIM TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W29N04GWBIBA Image W29N04GWBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W987D2HBJX6E Image W987D2HBJX6E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32FVSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32FVZPJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25X32VZEIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128BVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W9825G6KH-6I TR Image W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9412G6KH-5 TR Image W9412G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q32DWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80BVSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9825G6KH-6I Image W9825G6KH-6I IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9812G6JH-5 Image W9812G6JH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9864G6JB-6 Image W9864G6JB-6 IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q64CVSSJG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W29N01HVSINF Image W29N01HVSINF IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية